PBSS4220V分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
PBSS4220V |
| 參數(shù)屬性 | PBSS4220V 封裝/外殼為SOT-563，SOT-666；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS NPN 20V 2A SOT666 |
| 功能描述 | 20 V, 2 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
| 封裝外殼 | SOT-563，SOT-666 |
| 文件大小 |
186.07 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
13 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | 未知制造商 |
| 企業(yè)簡稱 |
恩XP |
| 中文名稱 | 未知制造商 |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-7-13 15:22:00 |
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PBSS4220V規(guī)格書詳情
General description
NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT666 Surface Mounted Device (SMD) plastic package.
PNP complement: PBSS5220V.
Features
■ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
■ High collector current capability: IC and ICM
■ High collector current gain (hFE) at high IC
■ High efficiency due to less heat generation
■ Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors
Applications
■ DC-to-DC conversion
■ MOSFET gate driving
■ Motor control
■ Charging circuits
■ Low power switches (e.g. motors, fans)
■ Portable applications
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
PBSS4220V,115
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
NPN
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
350mV @ 200mA，2A
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
100nA
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 1A，2V
- 頻率 - 躍遷：
210MHz
- 工作溫度：
150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
SOT-563，SOT-666
- 供應(yīng)商器件封裝：
SOT-666
- 描述：
TRANS NPN 20V 2A SOT666
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
SOT-666 |
80000 |
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恩XP |
22+ |
SOT666 |
20000 |
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