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PBSS4260PANP中文資料安世數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

PBSS4260PANP
廠商型號(hào)

PBSS4260PANP

功能描述

60 V, 2 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor

絲印標(biāo)識(shí)

2Q

封裝外殼

DFN2020-6

文件大小

855.61 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

21 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-7-11 22:59:00

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PBSS4260PANP規(guī)格書詳情

1. General description

NPN/PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless

medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

NPN/NPN complement: PBSS4260PAN. PNP/PNP complement: PBSS5260PAP.

2. Features and benefits

? Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat

? High collector current capability IC and ICM

? High collector current gain hFE at high IC

? Reduced Printed-Circuit Board (PCB) requirements

? High efficiency due to less heat generation

? AEC-Q101 qualified

3. Applications

? Load switch

? Battery-driven devices

? Power management

? Charging circuits

? Power switches (e.g. motors, fans)

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    PBSS4260PANP

  • 功能描述:

    兩極晶體管 - BJT 60V 2A NPN/PNP lo VCEsat transistor

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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