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PBSS4260PANP中文資料安世數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

廠商型號(hào) |
PBSS4260PANP |
功能描述 | 60 V, 2 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor |
絲印標(biāo)識(shí) | |
封裝外殼 | DFN2020-6 |
文件大小 |
855.61 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
21 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | Nexperia B.V. All rights reserved |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
NEXPERIA【安世】 |
中文名稱 | 安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-7-11 22:59:00 |
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PBSS4260PANP規(guī)格書詳情
1. General description
NPN/PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless
medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
NPN/NPN complement: PBSS4260PAN. PNP/PNP complement: PBSS5260PAP.
2. Features and benefits
? Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat
? High collector current capability IC and ICM
? High collector current gain hFE at high IC
? Reduced Printed-Circuit Board (PCB) requirements
? High efficiency due to less heat generation
? AEC-Q101 qualified
3. Applications
? Load switch
? Battery-driven devices
? Power management
? Charging circuits
? Power switches (e.g. motors, fans)
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
PBSS4260PANP
- 功能描述:
兩極晶體管 - BJT 60V 2A NPN/PNP lo VCEsat transistor
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
PNP 集電極—基極電壓
- VCBO:
集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO:
- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓
- VEBO:
- 6 V
- 增益帶寬產(chǎn)品fT:
直流集電極/Base Gain hfe
- Min:
100 A
- 安裝風(fēng)格:
SMD/SMT
- 封裝/箱體:
PowerFLAT 2 x 2
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Nexperia(安世) |
24+ |
SOT1118 |
7350 |
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NEXPERIA/安世 |
24+ |
原廠原封可拆樣 |
65258 |
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NEXPERIA/安世 |
25+ |
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600000 |
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NA |
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Nexperia/安世 |
22+ |
SOT1118 |
60000 |
原廠原裝正品現(xiàn)貨 |
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恩XP |
22+ |
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NEXPERIA/安世 |
22+ |
SOT1118 |
10990 |
原裝正品 |
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恩XP |
23+ |
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Nexperia |
2022+ |
原廠原包裝 |
8600 |
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詢價(jià) |