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PBSS5160QA分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
PBSS5160QA |
參數(shù)屬性 | PBSS5160QA 封裝/外殼為3-XDFN 裸露焊盤;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP 60V 1A DFN1010D-3 |
功能描述 | 60 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
絲印標(biāo)識 | |
封裝外殼 | DFN1010D-3 / 3-XDFN 裸露焊盤 |
文件大小 |
743.81 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
17 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Nexperia B.V. All rights reserved |
企業(yè)簡稱 |
NEXPERIA【安世】 |
中文名稱 | 安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-7-11 12:30:00 |
人工找貨 | PBSS5160QA價(jià)格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
PBSS5160QA規(guī)格書詳情
1. General description
PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless ultra small
DFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with visible
and solderable side pads.
NPN complement: PBSS4160QA.
2. Features and benefits
? Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat
? High collector current capability IC and ICM
? High collector current gain hFE at high IC
? High energy efficiency due to less heat generation
? Reduced Printed-Circuit Board (PCB) area requirements
? Solderable side pads
? AEC-Q101 qualified
3. Applications
? Loadswitch
? Battery-driven devices
? Power management
? Charging circuits
? Power switches (e.g. motors, fans)
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
PBSS5160QAZ
- 制造商:
Nexperia USA Inc.
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)
- 包裝:
散裝
- 晶體管類型:
PNP
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):
460mV @ 50mA,1A
- 電流 - 集電極截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
85 @ 1A,2V
- 頻率 - 躍遷:
150MHz
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
3-XDFN 裸露焊盤
- 供應(yīng)商器件封裝:
DFN1010D-3
- 描述:
TRANS PNP 60V 1A DFN1010D-3
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
23+ |
SOT-23 |
8560 |
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詢價(jià) | ||
Nexperia/安世 |
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SOT1215 |
150000 |
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恩XP |
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SMD |
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恩XP |
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恩XP |
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詢價(jià) |