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PBSS5250T分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

PBSS5250T
廠商型號

PBSS5250T

參數(shù)屬性

PBSS5250T 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:PBSS5250TH/SOT23/TO-236AB

功能描述

50 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

49.74 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Philips Semiconductors
企業(yè)簡稱

PHI飛利浦

中文名稱

荷蘭皇家飛利浦

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-7-11 14:11:00

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PBSS5250T規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

PNP BISS transistor in a SOT23 plastic package offering ultra low VCEsat and RCEsat parameters.

FEATURES

? Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

? High collector current capability: IC and ICM

? Higher efficiency leading to less heat generation

? Reduced printed-circuit board requirements

? Cost effective alternative to MOSFETs in specific

applications.

APPLICATIONS

? Power management

– DC/DC converters

– Supply line switching

– Battery charger

– LCD backlighting

? Peripheral drivers

– Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps

and LEDs)

– Inductive load driver (e.g. relays, buzzers and motors).

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    PBSS5250THR

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    300mV @ 200mA,2A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    130 @ 2A,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    100MHz

  • 工作溫度:

    175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-236AB

  • 描述:

    PBSS5250TH/SOT23/TO-236AB

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