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PBSS5250T分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

PBSS5250T
廠商型號

PBSS5250T

參數(shù)屬性

PBSS5250T 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產品描述:PBSS5250TH/SOT23/TO-236AB

功能描述

50 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

絲印標識

3H

封裝外殼

SOT23 / TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

329.89 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導體(中國)有限公司官網

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-7-11 14:11:00

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PBSS5250T規(guī)格書詳情

FEATURES

?Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

?High collector current capability: IC and ICM

?Higher efficiency leading to less heat generation

?Reduced printed-circuit board requirements

?Cost effective alternative to MOSFETs in specific applications.

APPLICATIONS

?Power management

–DC/DC converters

–Supply line switching

–Battery charger

–LCD backlighting

?Peripheral drivers

–Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps and LEDs)

–Inductive load driver (e.g. relays, buzzers and motors).

DESCRIPTION

PNP BISS transistor in a SOT23 plastic package offering ultra low VCEsat and RCEsat parameters.

產品屬性

  • 產品編號:

    PBSS5250THR

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    300mV @ 200mA,2A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    130 @ 2A,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    100MHz

  • 工作溫度:

    175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-236AB

  • 描述:

    PBSS5250TH/SOT23/TO-236AB

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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