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PBSS5320T-Q中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PBSS5320T-Q
廠商型號

PBSS5320T-Q

功能描述

20 V, 3 A PNP low VCEsat transistor

絲印標(biāo)識

ZH

封裝外殼

SOT23

文件大小

237.12 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-7-15 19:47:00

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PBSS5320T-Q規(guī)格書詳情

1. General description

PNP low VCEsat transistor in in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic

package.

NPN complement: PBSS4320T

2. Features and benefits

? Low collector-emitter saturation voltage VCEsat and corresponding low RCEsat

? High collector current capability

? High collector current gain

? Improved efficiency due to reduced heat generation

? Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in automotive applications

3. Applications

? Power management applications

? Low and medium power DC/DC convertors

? Supply line switching

? Battery chargers

? Linear voltage regulation with low voltage drop-out (LDO).

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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