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PBSS8110T分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

PBSS8110T
廠商型號(hào)

PBSS8110T

參數(shù)屬性

PBSS8110T 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:PBSS8110T/SOT23/TO-236AB

功能描述

Low VCEsat (BISS) transistors

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

948.33 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 Philips Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱

PHI飛利浦

中文名稱

荷蘭皇家飛利浦

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-7-11 14:13:00

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    PBSS8110TVL

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    200mV @ 100mA,1A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    150 @ 250mA,1V

  • 頻率 - 躍遷:

    100MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-236AB

  • 描述:

    PBSS8110T/SOT23/TO-236AB

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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