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PHD108NQ中文資料恩智浦數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PHD108NQ
廠商型號

PHD108NQ

功能描述

N-channel TrenchMOS logic level FET

文件大小

209.14 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-16 23:00:00

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PHD108NQ規(guī)格書詳情

General description

Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS? technology.

Features

■Logic level threshold

■Very low on-state resistance

■Lead-free construction

■Low gate charge

Applications

■DC-to-DC converter

■Switch-mode power supplies

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    PHD108NQ

  • 功能描述:

    兩極晶體管 - BJT TAPE13 PWR-MOS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安裝風格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerFLAT 2 x 2

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NXP(恩智浦)
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