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PHK5NQ15T中文資料安世數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

PHK5NQ15T
廠商型號(hào)

PHK5NQ15T

功能描述

N-channel TrenchMOS standard level FET

絲印標(biāo)識(shí)

K5NQ15T

封裝外殼

SOT96-1

文件大小

723.96 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

12 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-7-11 22:59:00

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PHK5NQ15T規(guī)格書(shū)詳情

1. General description

Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in

computing, communications, consumer and industrial applications only.

2. Features and benefits

? Low conduction losses due to low on-state resistance

3. Applications

? DC-to-DC convertors switching

? General purpose switching

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    PHK5NQ15T

  • 功能描述:

    MOSFET TAPE13 PWR-MOS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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