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PJD18N20_L2_00001中文資料強茂數據手冊PDF規(guī)格書

PJD18N20_L2_00001
廠商型號

PJD18N20_L2_00001

功能描述

200V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

絲印標識

D18N20

封裝外殼

TO-252AA

文件大小

1.20857 Mbytes

頁面數量

8

生產廠商 Pan Jit International Inc.
企業(yè)簡稱

PANJIT強茂

中文名稱

強茂股份有限公司官網

原廠標識
數據手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-6-29 11:10:00

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PJD18N20_L2_00001規(guī)格書詳情

Features

? RDS(ON), VGS@10V,ID@9A<160mΩ

? High switching speed

? Improved dv/dt capability

? Low Gate Charge

? Low reverse transfer capacitance

? Lead free in compliance with EU RoHS 2.0

? Green molding compound as per IEC 61249 standard

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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