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PMBT3906M分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

PMBT3906M
廠商型號

PMBT3906M

參數(shù)屬性

PMBT3906M 封裝/外殼為3-XFDFN;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS PNP 40V 0.2A 3DFN

功能描述

40 V, 200 mA PNP switching transistor

絲印標識

6Q

封裝外殼

SOT883 / 3-XFDFN

文件大小

207.04 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-7-11 10:08:00

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PMBT3906M規(guī)格書詳情

1.1 General description

PNP single switching transistor in a SOT883 (SC-101) leadless ultra small

Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

NPN complement: PMBT3904M.

1.2 Features

n Single general-purpose switching transistor

n Board-space reduction

n AEC-Q101 qualified

n Ultra small SMD plastic package

1.3 Applications

n General-purpose switching and amplification

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    PMBT3906MB,315

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    400mV @ 5mA,50mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 10mA,1V

  • 頻率 - 躍遷:

    250MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    3-XFDFN

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    DFN1006B-3

  • 描述:

    TRANS PNP 40V 0.2A 3DFN

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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