PMBT5551分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號(hào) |
PMBT5551 |
參數(shù)屬性 | PMBT5551 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN 160V 0.3A TO236AB |
功能描述 | NPN high-voltage transistor |
封裝外殼 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
文件大小 |
43.66 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
8 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Philips Semiconductors |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
PHI【飛利浦】 |
中文名稱 | 荷蘭皇家飛利浦 |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-7-11 11:20:00 |
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DESCRIPTION
NPN high-voltage transistor in a SOT23 plastic package.
PNP complement: PMBT5401.
FEATURES
? Low current (max. 300 mA)
? High voltage (max. 160 V).
APPLICATIONS
? General purpose
? Telephony.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
PMBT5551,235
- 制造商:
Nexperia USA Inc.
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)
- 系列:
Automotive, AEC-Q101
- 包裝:
卷帶(TR)
- 晶體管類型:
NPN
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):
200mV @ 5mA,50mA
- 電流 - 集電極截止(最大值):
50nA(ICBO)
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
80 @ 10mA,5V
- 頻率 - 躍遷:
300MHz
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-236AB
- 描述:
TRANS NPN 160V 0.3A TO236AB
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA/安世 |
24+ |
SOT-23 |
39524 |
原裝正品,現(xiàn)貨庫存,1小時(shí)內(nèi)發(fā)貨 |
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/ |
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恩XP |
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