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PMBT5551分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

PMBT5551
廠商型號(hào)

PMBT5551

參數(shù)屬性

PMBT5551 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN 160V 0.3A TO236AB

功能描述

NPN high-voltage transistor

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

43.66 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Philips Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱

PHI飛利浦

中文名稱

荷蘭皇家飛利浦

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-7-11 11:20:00

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PMBT5551規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

NPN high-voltage transistor in a SOT23 plastic package.

PNP complement: PMBT5401.

FEATURES

? Low current (max. 300 mA)

? High voltage (max. 160 V).

APPLICATIONS

? General purpose

? Telephony.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    PMBT5551,235

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    200mV @ 5mA,50mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    50nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 10mA,5V

  • 頻率 - 躍遷:

    300MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-236AB

  • 描述:

    TRANS NPN 160V 0.3A TO236AB

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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