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PSMN005-75P

N-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS technology.

Description N-channellogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS?technology. Features ■Lowon-stateresistance ■Fastswitching. Applications ■HighfrequencycomputermotherboardDCtoDCconverters ■OR-ingapplications.

PHIPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PHI

PSMN005-75P

N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET

Generaldescription SiliconMAXstandardlevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplasticpackageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforuseincomputing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. Featuresandbenefits ■

ETC

ETC

PSMN005-75P

N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET

1.1Generaldescription SiliconMAXstandardlevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)in aplasticpackageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedfor useincomputing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. 1.2Featuresandb

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PSMN005-75P

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=75V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=5.0mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

PSMN034-100PS

NXP
TO-220

恩XP

相關(guān)企業(yè)：深圳市芯峰微電子科技有限公司

恩XP

詳細參數(shù)

  • 型號：

    PSMN005-75P

  • 功能描述：

    MOSFET RAIL PWR-MOS

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多PSMN005-75P供應(yīng)商 更新時間2025-7-30 16:36:00

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