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RD8.2E中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

RD8.2E
廠商型號(hào)

RD8.2E

功能描述

500 mW DHD ZENER DIODE DO-35

文件大小

95.2 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

12 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Renesas Electronics America
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NEC瑞薩

中文名稱

日本瑞薩電子株式會(huì)社官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-14 17:16:00

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RD8.2E規(guī)格書(shū)詳情

DESCRIPTION

NEC Type RD2.0E to RD200E Series are planar type zener diode in the popular DO-35 package with DHD (Double Heatsink Diode) construction having allowable power dissipation of 500 mW. To meet various application at customers, Vz (zener voltage) is classified into the tight tolerance under the specific suffix (B, B1 to B7).

FEATURES

? DHD (Double Heatsink Diode) Construction

? Vz: Applied E24 standard (RD130E to RD200E: 10 volts step)

? DO-35 Glass sealed package

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    RD8.2E

  • 制造商:

    EIC

  • 制造商全稱:

    EIC discrete Semiconductors

  • 功能描述:

    SILICON ZENER DIODES

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
NEC
23+
NA
1986
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詢價(jià)
NEC
25+
BC(B1)
880000
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NEC
23+
原廠原裝
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優(yōu)勢(shì)庫(kù)存
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RENESAS/瑞薩
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