RFD10P03L中文資料HARRIS數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
RFD10P03L |
| 功能描述 | 10A, 30V, 0.200 ohm, Logic Level P-Channel Power MOSFET |
| 文件大小 |
272.14 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
12 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Harris Corporation |
| 企業(yè)簡稱 |
HARRIS |
| 中文名稱 | Harris Corporation |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-5-30 19:14:00 |
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Description
These products are P-Channel power MOSFETs manufactured using the MegaFET process. This process, which uses feature sizes approaching those of LSI circuits, gives optimum utilization of silicon, resulting in outstanding performance. They were designed for use in applications such as
switching regulators, switching converters, motor drivers, and relay drivers. These transistors can be operated directly from integrated circuits.
Features
? 10A, 30V
? rDS(ON)= 0.200?
? Temperature CompensatingPSPICE Model
? PSPICE Thermal Model
? Peak Current vs Pulse Width Curve
? UIS Rating Curve
? 175oC Operating Temperature
產(chǎn)品屬性
- 型號：
RFD10P03L
- 功能描述：
MOSFET TO-251 P-Ch Power
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NK/南科功率 |
2025+ |
TO-252 |
986966 |
國產(chǎn) |
詢價(jià) | ||
FAIRCHILD |
20+ |
SOT252 |
3000 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
FSC/ON |
23+ |
原包裝原封 □□ |
1492 |
原裝進(jìn)口特價(jià)供應(yīng) QQ 1304306553 更多詳細(xì)咨詢 庫存 |
詢價(jià) | ||
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23+ |
NA |
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詢價(jià) | ||
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TO-251 |
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23+ |
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詢價(jià) | ||
RFD10P03LSM |
75 |
75 |
詢價(jià) | ||||
INTERSIL/FSC |
23+ |
TO-251 |
28610 |
詢價(jià) | |||
HARRIS/哈里斯 |
2402+ |
TO-252AA |
8324 |
原裝正品!實(shí)單價(jià)優(yōu)! |
詢價(jià) |
