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RFD14N05LSM

14A, 50V, 0.100 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs

TheseareN-channelpowerMOSFETsmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapplicationssuchasswitchingre

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

Fairchild

RFD14N05LSM

14A, 50V, 0.100 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs

Features ?14A,50V ?rDS(ON)=0.100? ?TemperatureCompensatingPSPICE?Model ?CanbeDrivenDirectlyfromCMOS,NMOS,and TTLCircuits ?PeakCurrentvsPulseWidthCurve ?UISRatingCurve ?175oCOperatingTemperature ?RelatedLiterature -TB334“GuidelinesforSolderingS

Intersil

Intersil Corporation

Intersil

RFD14N05LSM

14A, 50V, 0.100 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs

TheseareN-channelpowerMOSFETsmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapplicationssuchasswitchingre

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

Fairchild

RFD14N05LSM

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES DrainCurrent-ID=14A@TC=25℃ DrainSourceVoltage-VDSS=50V(Min) StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.1Ω(Max)@VGS=5V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

ISC

RFD14N05LSM

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/14n05l/marking.html">14N05L；Package：TO-252；60V N-Channel MOSFET

Features CanbeDrivenDirectlyfromCMOS,NMOS,and TTLCircuits PeakCurrentvsPulseWidthCurve ?175℃OperatingTemperature VDS(V)=60V ??RDS(ON)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺半導體廣東友臺半導體有限公司

UMW

RFD14N05LSM

N 溝道邏輯電平功率 MOSFET 50V，14A，100mΩ

這些N溝道功率MOSFET采用MegaFET工藝生產(chǎn)。 這種工藝使用接近LSI集成電路的特征尺寸，優(yōu)化了硅原料利用率，可以帶來出色的性能。 這些器件設計用于開關穩(wěn)壓器、開關轉換器、電機驅(qū)動和繼電器驅(qū)動器等應用。 這種性能通過一種特殊的柵極氧化設計來實現(xiàn)，在3V到5V的柵極偏壓范圍內(nèi)可提供完整的額定電導，從而可以通過邏輯電平(5V)集成電路直接進行真正的開關電源控制。 以前的開發(fā)類型為TA09870。; ?14A、50V\n?rDS(ON)= 0.100Ω\n?溫度補償式PSPICE?模型\n?可直接通過CMOS、NMOS和TTL電路來驅(qū)動\n?峰值電流與脈寬曲線\n?UIS額定值曲線\n?175°C工作溫度\n?相關文獻\n;

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

RFD14N05LSM

14A, 50V, 0.100 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

Fairchild

RFD14N05LSM

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

VBSEMI

RFD14N05LSM9A

14A, 50V, 0.100 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs

TheseareN-channelpowerMOSFETsmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapplicationssuchasswitchingre

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

Fairchild

RFD14N05LSM9A

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features ?VDS=60V,ID=50A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

Bychip

技術參數(shù)

  • Pb-free：

    Pb

  • Status：

    Active

  • Channel Polarity：

    N-Channel

  • Configuration：

    Single

  • V(BR)DSS Min (V)：

    50

  • VGS Max (V)：

    ±10

  • VGS(th) Max (V)：

    2

  • ID Max (A)：

    14

  • PD Max (W)：

    48

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：

    100

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：

    22

  • Ciss Typ (pF)：

    670

  • Package Type：

    DPAK-3/TO-252-3

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
FAIRCHILD/仙童
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FAIRCHILD/仙童全新特價RFD14N05LSM即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨
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原裝正品現(xiàn)貨供應56
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只做原廠渠道 可追溯貨源
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ON/安森美
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免費送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
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Fairchild(飛兆/仙童)
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原廠可訂貨,技術支持,直接渠道?？珊灡９┖贤?/div>
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FAIRCHILD
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TO-252
9526
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仙童
06+
TO-252
12000
原裝庫存
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FAI
24+
8100
詢價
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