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RJH60F5DPQ-A0分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

RJH60F5DPQ-A0
廠商型號

RJH60F5DPQ-A0

參數(shù)屬性

RJH60F5DPQ-A0 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 80A 260.4W TO247A

功能描述

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

112.36 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-6-11 23:00:00

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RJH60F5DPQ-A0規(guī)格書詳情

Features

? Low collector to emitter saturation voltage

VCE(sat) = 1.37 V typ. (IC = 40 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)

? Built in fast recovery diode in one package

? Trench gate and thin wafer technology

? High speed switching

tr = 85 ns typ. (at IC = 30 A, VCE = 400 V, VGE = 15 V, Rg = 5 Ω, Ta = 25°C, inductive load)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    RJH60F5DPQ-A0#T0

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    1.8V @ 15V,40A

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    53ns/105ns

  • 測試條件:

    400V,30A,5 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-247A

  • 描述:

    IGBT 600V 80A 260.4W TO247A

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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