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SB039C020-1-W-AG中文資料東電電子數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

SB039C020-1-W-AG
廠商型號(hào)

SB039C020-1-W-AG

功能描述

Schottky cr Barrier Diode Wafer 39 Mils, 20 Volt, 1 Amp, 0.35VF.

文件大小

155.97 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

1 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Tokyo Electron Ltd.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

TEL東電電子

中文名稱

東京電子有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-7-24 16:13:00

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SB039C020-1-W-AG規(guī)格書詳情

Features

Oxide Passivated Junction

Very Low Forward Voltage

125 o C Junction Operating

Low Reverse Leakage

Supplied as Wafers

Chromium Barrier

>1000V ESD (MM)

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    SB039C020-1-W-AG

  • 制造商:

    TRSYS

  • 制造商全稱:

    Transys Electronics

  • 功能描述:

    Schottky cr Barrier Diode Wafer 39 Mils, 20 Volt, 1 Amp, 0.35VF.

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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