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SI7119DN-T1-GE3中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號 |
SI7119DN-T1-GE3 |
功能描述 | P-Channel 200-V (D-S) MOSFET |
文件大小 |
196.21 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
4 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Vishay Siliconix |
企業(yè)簡稱 |
VISHAY【威世科技】 |
中文名稱 | 威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-7-21 23:00:00 |
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產(chǎn)品屬性
- 型號:
SI7119DN-T1-GE3
- 功能描述:
MOSFET 200V 3.8A 52W 1.05ohm @ 10V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
24+ |
NA/ |
3280 |
原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持! |
詢價 | ||
VISHAY |
24+ |
QFN8 |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價 | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
QFN8 |
8215 |
原廠原裝 |
詢價 | ||
SII/精工 |
25+ |
DFN3x3 |
20300 |
SII/精工原裝特價Si7119DN-T1-GE3即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨 |
詢價 | ||
VISHAY/威世 |
24+ |
QFN8 |
3800 |
大批量供應(yīng)優(yōu)勢庫存熱賣 |
詢價 | ||
VISHAY |
2016+ |
QFN8 |
6528 |
只做進(jìn)口原裝現(xiàn)貨!假一賠十! |
詢價 | ||
VISHAY |
24+ |
QFN8 |
5000 |
全新原裝正品,現(xiàn)貨銷售 |
詢價 | ||
VISHAY/威世 |
22+ |
QFN8 |
18000 |
現(xiàn)貨,原廠原裝假一罰十! |
詢價 | ||
VISHAY/威世 |
24+ |
QFN8 |
18000 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價 | ||
VISHAY |
23+ |
QFN |
6000 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 |