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SI7619DN-T1-GE3中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
| 廠商型號(hào) |
SI7619DN-T1-GE3 |
| 功能描述 | P-Channel 30 V (D-S) MOSFET |
| 文件大小 |
597.19 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
13 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Vishay Siliconix |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng) |
VISHAY【威世科技】 |
| 中文名稱(chēng) | 威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-7-20 10:11:00 |
| 人工找貨 | SI7619DN-T1-GE3價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
SI7619DN-T1-GE3
- 功能描述：
MOSFET P-CH 30V 1212-8 PPAK
- RoHS：
是
- 類(lèi)別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
TrenchFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)：
邏輯電平門(mén)
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類(lèi)型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
25+ |
PowerPAK1212-8 |
39683 |
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VISHAY/威世 |
24+ |
DFN3*3 |
502675 |
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Vishay |
24+ |
NA |
3000 |
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng) |
詢價(jià) | ||
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48000 |
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VISHAY |
24+ |
PowerPAK-1212-8 |
65300 |
一級(jí)代理/放心采購(gòu) |
詢價(jià) | ||
NK/南科功率 |
9420 |
DFN3X3-8 |
36520 |
國(guó)產(chǎn)南科平替供應(yīng)大量 |
詢價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
PowerPAK1212-8 |
50000 |
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Vishay(威世) |
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20094 |
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VISHAY/威世 |
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QFN |
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VISHAY |
22+ |
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