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SI8439DB-T1-E1_VISHAY/威世科技_MOSFET -8V 9.2A 2.7W 25mohm @ 4.5V得捷芯城科技
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書(shū)下載
產(chǎn)品屬性
- 類(lèi)型
描述
- 型號(hào):
SI8439DB-T1-E1
- 功能描述:
MOSFET -8V 9.2A 2.7W 25mohm @ 4.5V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市得捷芯城科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
肖先生
- 手機(jī):
19076157484
- 詢(xún)價(jià):
- 電話(huà):
0755-82538261
- 傳真:
0755-82539558
- 地址:
深圳市福田區(qū)福田街道福虹路9號(hào)世貿(mào)廣場(chǎng)A座5層
相近型號(hào)
- SI8435DBT1E1
- SI8440AA-C-IS1R
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