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SiP41111DY-T1-E3集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器規(guī)格書PDF中文資料

SiP41111DY-T1-E3
廠商型號(hào)

SiP41111DY-T1-E3

參數(shù)屬性

SiP41111DY-T1-E3 封裝/外殼為8-SOIC(0.154",3.90mm 寬);包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器;產(chǎn)品描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

功能描述

75 V/2 A Peak, Low Cost, High Frequency Half Bridge Driver
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

封裝外殼

8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

文件大小

210.84 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-23 20:00:00

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SiP41111DY-T1-E3規(guī)格書詳情

SiP41111DY-T1-E3屬于集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器。由威世科技半導(dǎo)體制造生產(chǎn)的SiP41111DY-T1-E3柵極驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能,這些功能可將來自電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中控制設(shè)備的信號(hào)連接到電源被控制通過的半導(dǎo)體設(shè)備(通常為 FET 或 IGBT)。任何特定設(shè)備提供的確切功能各不相同,但與它適合驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體配置相關(guān)。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    SIP41111DY-T1-E3

  • 制造商:

    Vishay Siliconix

  • 類別:

    集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動(dòng)器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 驅(qū)動(dòng)配置:

    半橋

  • 通道類型:

    獨(dú)立式

  • 柵極類型:

    N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電:

    9V ~ 13.2V

  • 邏輯電壓?- VIL,VIH:

    4V,7V

  • 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):

    2A,2A

  • 輸入類型:

    非反相

  • 上升/下降時(shí)間(典型值):

    13ns,15ns

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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