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SPP08P06PG

P-Channel Enhancement mode Avalanche rated dv/dt rated

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

08P06P

SIPMOS?Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

F08P06S

Dual-PEnhancementMOSFET

Features ?VDS=-60V,ID=-8A ?RDS(ON)=570mΩ@VGS=-10V(Typ.) ?RDS(ON)=105mΩ@VGS=-4.5V(Typ.) MainApplications ?BatteryProtection ?LoadSwitch ?PowerManagement

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣電子唯圣電子有限公司

SPB08P06P

SIPMOSPower-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPB08P06P

iscP-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

SPB08P06PG

P-Channel60-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

SPB08P06PG

SIPMOSPower-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPB08P06PG

SIPMOS?Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPD08P06P

SIPMOSPower-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPD08P06P

SIPMOS?Power-TransistorFeaturesP-ChannelEnhancementmode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    SPP08P06PG

  • 功能描述：

    MOSFET P-KANAL

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
INFINEON/英飛凌
24+
TO-220
17132
原裝進口假一罰十
 詢價
I
22+
PG-TO220-3
6000
十年配單,只做原裝
 詢價
INFINEON/英飛凌
24+
NA/
3343
原廠直銷,現(xiàn)貨供應,賬期支持!
 詢價
I
22+
PG-TO220-3
25000
只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單
 詢價
ADI
23+
TO-220
8000
只做原裝現(xiàn)貨
 詢價
I
25+
PG-TOTO-220-3
12300
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經營 免費試樣正品保證
 詢價
INFINEON/英飛凌
23+
TO-220
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價
INFINEON/英飛凌
24+
TO-220
140
原裝現(xiàn)貨假一賠十
 詢價
INF
23+
TO-220AB
5000
原裝正品,假一罰十
 詢價
Infineon
24+/25+
500
原裝正品現(xiàn)貨庫存價優(yōu)
 詢價
更多SPP08P06PG供應商 更新時間2025-6-14 8:36:00

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