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FieldEffectTransistorSiliconPChannelMOSTypeHighSpeedSwitchingApplications HighSpeedSwitchingApplications ?Smallpackage ?Lowonresistance:Ron=0.4?(max)(VGS=?4V) :Ron=0.6?(max)(VGS=?2.5V) ?Lowgatethresholdvoltage | TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝 | TOSHIBA | ||
P-Channel30V(D-S)MOSFET FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested APPLICATIONS ?ForMobileComputing -LoadSwitch -NotebookAdaptorSwitch -DC/DCConverter | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司 | VBSEMI | ||
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BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf | TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝 | TOSHIBA | ||
TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconPChannelMOSType PowerManagementSwitch HighSpeedSwitchingApplications ?SmallPackage ?LowonResistance:Ron=0.4?(max)(@VGS=?4V) :Ron=0.6?(max)(@VGS=?2.5V) ?LowGateThresholdVoltage | TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝 | TOSHIBA |
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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