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| 零件編號 | 下載 訂購 | 功能描述/絲印 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
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Field-EffectTransistorSiliconP-ChannelMOSType(U-MOS?? ○PowerManagementSwitchApplications ?1.5Vdrive ?LowON-resistance:RDS(ON)=63.2m?(max)(@VGS=-1.5V) RDS(ON)=41.1m?(max)(@VGS=-1.8V) RDS(ON)=31.0m?(max)(@VGS=-2.5V) | TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝 | TOSHIBA | ||
BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf | TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝 | TOSHIBA | ||
注:在重負(fù)荷下連續(xù)使用(例如高負(fù)荷的應(yīng)用溫度/電流/電壓的顯著變化溫度等)可能會導(dǎo)致本產(chǎn)品的下降即使在操作條件下(例如:工作溫度/電流/電壓等絕對最大額定參數(shù)。請設(shè)計適當(dāng)?shù)目煽啃詫彶?/p> | ETC |
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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