SSM3J331R_V01中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

廠商型號(hào)	SSM3J331R_V01
功能描述	MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI)
文件大小	241.69 Kbytes
頁面數(shù)量	9 頁
生產(chǎn)廠商	Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱	TOSHIBA【東芝】
中文名稱	株式會(huì)社東芝官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)	下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間	2025-7-11 11:46:00
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Applications

? Power Management Switches

Features

(1) 1.5-V gate drive voltage.

(2) Low drain-source on-resistance

: RDS(ON) = 150 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V)

RDS(ON) = 100 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V)

RDS(ON) = 75 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V)

RDS(ON) = 55 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V)

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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