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SSM3K329R中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SSM3K329R
廠商型號

SSM3K329R

功能描述

MOSFETs Silicon N-Channel MOS

絲印標(biāo)識

KKH

封裝外殼

SOT-23F

文件大小

392.83 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會社東芝官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-7-13 15:22:00

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SSM3K329R規(guī)格書詳情

Applications

? Power Management Switches

? High-Speed Switching

Features

(1) 1.8-V gate drive voltage.

(2) Low drain-source on-resistance

: RDS(ON) = 289 mΩ (max) (@VGS = 1.8 V)

RDS(ON) = 170 mΩ (max) (@VGS = 2.5 V)

RDS(ON) = 126 mΩ (max) (@VGS = 4.0 V)

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    SSM3K329R

  • 制造商:

    TOSHIBA

  • 制造商全稱:

    Toshiba Semiconductor

  • 功能描述:

    Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
TOSHIBA
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