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MOSFETsSiliconN-ChannelMOS Applications ?RelayDrivers Features (1)AEC-Q101Qualified(Note1). (2)4.0-Vgatedrivevoltage. (3)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=200mΩ(max)(@VGS=4.0V,ID=1.0A) RDS(ON)=176mΩ(max)(@VGS=4.5V,ID=2.0A) RDS(ON)=150mΩ(max)(@VGS=10V,ID=2.0A) | TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝 | TOSHIBA | ||
MOSFETsSiliconN-ChannelMOS | TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝 | TOSHIBA |
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
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