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STB200NF04L-1中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

STB200NF04L-1
廠商型號(hào)

STB200NF04L-1

功能描述

N-CHANNEL 40V - 3 m ohm - 120 A TO-220/D2PAK/I2PAK STripFET II MOSFET

文件大小

358.07 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

12 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-2 15:00:00

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STB200NF04L-1規(guī)格書(shū)詳情

DESCRIPTION

This MOSFET is the latest development of STMicroelectronics unique “Single Feature Size?” stripbased process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignement steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility. This new improved device has been specifically designed for Automotive applications.

General Features

■ TYPICAL RDS(on) = 3m?

■ 100 AVALANCHE TESTED

■ LOW THERESHOLD DRIVE

APPLICATIONS

■ HIGH CURRENT, HIGH SWITCHING SPEED

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    STB200NF04L-1

  • 功能描述:

    MOSFET N Ch 40V 3mOhm 120A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
STMicroelectronics
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