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STD10NM60ND中文資料意法半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STD10NM60ND
廠商型號

STD10NM60ND
功能描述

N-channel 600 V, 0.57, 8 A, DPAK, TO-220FP, TO-220 FDmesh II Power MOSFET (with fast diode)
絲印標識

10NM60ND
封裝外殼

DPAK
文件大小

1.2278 Mbytes
頁面數(shù)量

19 頁
生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS【意法半導體】

中文名稱

意法半導體集團官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-7-12 17:32:00
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STD10NM60ND規(guī)格書詳情

Description

This FDmesh? II Power MOSFET with intrinsic fast-recovery body diode is produced using the second generation of MDmesh? technology. Utilizing a new strip-layout vertical structure, this revolutionary device features extremely low onresistance and superior switching performance. It is ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

Features

■ 100 avalanche tested

■ Low input capacitance and gate charge

■ Low gate input resistance

■ Extremely high dv/dt avalanche capabilities

Applications

■ Switching applications

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    STD10NM60ND

  • 功能描述：

    MOSFET N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST/意法半導體
21+
TO-252-3
8860
只做原裝,質(zhì)量保證
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ST
22+
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC
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ST/意法半導體
21+
TO-252-3
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原裝現(xiàn)貨,實單價優(yōu)
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