STD8N65M5中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
STD8N65M5 |
| 功能描述 | N-channel 650 V, 0.56 廓, 7 A MDmesh??V Power MOSFET |
| 文件大小 |
1.30413 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
25 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
| 企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-7-18 18:59:00 |
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STD8N65M5規(guī)格書詳情
Description
These devices are N-channel MDmesh? V Power MOSFETs based on an innovative proprietary vertical process technology, which is combined with STMicroelectronics’ well-known PowerMESH? horizontal layout structure. The resulting product has extremely low on-resistance, which is unmatched among silicon-based Power MOSFETs, making it especially suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency.
Features
■ Worldwide best RDS(on) * area
■ Higher VDSS rating
■ High dv/dt capability
■ Excellent switching performance
■ Easy to drive
■ 100 avalanche tested
Applications
■ Switching applications
產(chǎn)品屬性
- 型號：
STD8N65M5
- 功能描述：
MOSFET N-Ch 650V 0.56 Ohm MDmesh V 7A 710VDss
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
23+ |
TO-252 |
6800 |
原裝正品,支持實單 |
詢價 | ||
ST |
20+ |
DPAK |
36900 |
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票 |
詢價 | ||
STM |
23+ |
TO-252-3 (DPAK) |
50000 |
原裝正品 支持實單 |
詢價 | ||
ST |
13+ |
TO-252 |
35 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正納10年以上分銷經(jīng)驗原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持 |
詢價 | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
21+ |
TO-252-3 |
8860 |
原裝現(xiàn)貨,實單價優(yōu) |
詢價 | ||
ST(意法) |
24+ |
N/A |
8248 |
原廠可訂貨,技術(shù)支持,直接渠道?？珊灡９┖贤?/div> |
詢價 | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
22+ |
TO-252-3 |
10000 |
只有原裝,原裝,假一罰十 |
詢價 | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
21+ |
TO-252-3 |
8860 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
詢價 | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
25+ |
原廠封裝 |
9999 |
詢價 |
