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STGWA40N120KD

40 A, 1200 V short circuit rugged IGBT with Ultrafast diode

This high voltage and short-circuit rugged IGBT utilizes the advanced PowerMESH? process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low ON-state behavior.\n \n; ? Low on-losses\n? High current capability\n? Low gate charge? Short circuit withstand time 10 μs\n? IGBT co-packaged with Ultrafast free-wheeling diode;

STSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

ST

STGWA40N120KD

Package：TO-247-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1200V 80A 240W TO247

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STMICROELECTRONICS

TRS40N120HB

SiCSchottkyBarrierDiode

Applications ?PowerFactorCorrection ?SolarInverters ?UninterruptiblePowerSupplies ?DC-DCConverters Features (1)Chipdesignof3rdgeneration (2)Lowforwardvoltage:VF(PerLeg)=1.27V(typ.) (3)Lowtotalcapacitivecharge:Qc(PerLeg)=108nC(typ.) (4)Lowreversecurr

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

TOSHIBA

TSG40N120

N-ChannelIGBTwithFRD.

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺(tái)灣半導(dǎo)體臺(tái)灣半導(dǎo)體股份有限公司

TSG40N120CE

N-ChannelIGBTwithFRD

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺(tái)灣半導(dǎo)體臺(tái)灣半導(dǎo)體股份有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    STGWA40N120KD

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    PowerMESH?

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    3.85V @ 15V，30A

  • 開關(guān)能量：

    3.7mJ（開），5.7mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    48ns/338ns

  • 測試條件：

    960V，30A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 125°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247

  • 描述：

    IGBT 1200V 80A 240W TO247

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多STGWA40N120KD供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-8-1 19:10:00

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