TC4627EOE集成電路（IC）的柵極驅(qū)動(dòng)器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
TC4627EOE |
| 參數(shù)屬性 | TC4627EOE 封裝/外殼為16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）；包裝為卷帶（TR）；類別為集成電路（IC）的柵極驅(qū)動(dòng)器；產(chǎn)品描述：IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16SOIC |
| 功能描述 | Power CMOS Drivers With Voltage Tripler |
| 封裝外殼 | 16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） |
| 文件大小 |
462.28 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
14 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Microchip Technology |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
MICROCHIP【微芯科技】 |
| 中文名稱 | 微芯科技股份有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-6-13 23:00:00 |
| 人工找貨 | TC4627EOE價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
TC4627EOE規(guī)格書詳情
TC4627EOE屬于集成電路（IC）的柵極驅(qū)動(dòng)器。由微芯科技股份有限公司制造生產(chǎn)的TC4627EOE柵極驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能，這些功能可將來(lái)自電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中控制設(shè)備的信號(hào)連接到電源被控制通過(guò)的半導(dǎo)體設(shè)備（通常為 FET 或 IGBT）。任何特定設(shè)備提供的確切功能各不相同，但與它適合驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體配置相關(guān)。
GENERAL DESCRIPTION
The TC4626/4627 are single CMOS high speed drivers with an on-board voltage boost circuit. These parts work with an input supply voltage from 4 to 6 volts. The internal voltage booster will produce a VBOOST potential up to 12 volts above VIN. This VBOOST is not regulated, so its voltage is dependent on the input VDD voltage and output drive loading requirements. An internal undervoltage lockout circuit keeps the output in a low state when VBOOST drops below 7.8 volts. Output is enabled when VBOOST is above 11.3 volts.
FEATURES
■ Power driver with on Board Voltage Booster
■ Low IDD ......................................................... < 4 mA
■ Small Package ........................................ 8-Pin PDIP
■ Under-Voltage Circuitry
■ Fast Rise-Fall Time .................. < 40nsec @ 1000pF
■ Below-Rail Input Protection
APPLICATIONS
■ Raises 5V to drive higher-Vgs (ON) MOSFETs
■ Eliminates one system power supply
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
TC4627EOE
- 制造商：
Microchip Technology
- 類別：
集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動(dòng)器
- 包裝：
卷帶（TR）
- 驅(qū)動(dòng)配置：
高壓側(cè)或低壓側(cè)
- 通道類型：
單路
- 柵極類型：
N 溝道，P 溝道 MOSFET
- 電壓 - 供電：
4V ~ 6V
- 邏輯電壓?- VIL，VIH：
0.8V，2.4V
- 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）：
1.5A，1.5A
- 輸入類型：
非反相
- 上升/下降時(shí)間（典型值）：
33ns，27ns
- 工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）
- 供應(yīng)商器件封裝：
16-SOIC
- 描述：
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16SOIC
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MICROCHIP(美國(guó)微芯) |
24+ |
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7350 |
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MICROCHIP/微芯 |
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MICROCHIP/微芯 |
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MICROCHIP/微芯 |
24+ |
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Microchip/微芯 |
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MICROCHIP(美國(guó)微芯) |
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SOIC-16 |
499 |
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MICROCHIP |
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6200 |
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詢價(jià) |
