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TIP142T

Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistors

MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors -HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=2V,IC=5A(Min.) -Collector-EmitterSustainingVoltage -LowCollector-EmitterSaturationVoltage -IndustrialUse -ComplementarytoTIP145/146/147

SEMIHOW

SemiHow Co.,Ltd.

TIP142T

COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

Description Thedevicesaremanufacturedinplanartechnologywith“baseisland”layoutandmonolithicDarlingtonconfiguration.Theresultingtransistorsshowexceptionalhighgainperformancecoupledwithverylowsaturationvoltage. Features ■MonolithicDarlingtonconfiguration ■

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

TIP142T

SILICON PLANAR POWER DARLINGTON TRANSISTORS

SILICONPLANARPOWERDARLINGTONTRANSISTORS ForuseinPowerLinearandSwitchingApplications

TEL

TRANSYS Electronics Limited

TIP142T

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

DESCRIPTION ?HighDCCurrentGain- :hFE=1000(Min)@IC=5A ?Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=100V(Min) ?ComplementtoTypeTIP147T APPLICATIONS ?Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeed switchingapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

TIP142T

Silicon NPN Darlington Power Transistor

Features ?MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors ?HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=4V,lc=5A(Min.) ?IndustrialUse ?ComplementtoTIP145T/146T/147T

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

TIP142T

NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor

Features ?MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors ?HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=4V,lc=5A(Min.) ?IndustrialUse ?ComplementtoTIP145T/146T/147T

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

TIP142T

Silicon NPN transistor in a TO-220 Plastic Package.

Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-220PlasticPackage. Features Monolithicconstructionwithbuiltinbase-emittershuntresistors,HighDCcurrentgaincomplementtoTIP147T. Applications Linearandswitchingindustrialequipment.

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司

TIP142T

SILICON PLANAR POWER DARLINGTON TRANSISTORS

SILICONPLANARPOWERDARLINGTONTRANSISTORS ForuseinPowerLinearandSwitchingApplications

CDIL

Continental Device India Limited

TIP142T

Darlington TRANSISTOR (NPN)

Features Monolithicconstructionwithbuiltinbase-emittershuntresistors HighDCcurrentgaincomplementtoTIP147T. Applications Linearandswitchingindustrialequipment.

FS

First Silicon Co., Ltd

TIP142T

POWER TRANSISTORS(10A,60-100V,80W)

DARLINGTONCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS ...designedforgeneral-purposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. 10AMPEREDARLINGTIOONCOM:EMEMTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60-100VOLTS80WATTS TIP140T,TIP141T,TIP142T-->NPN TIP145T,TIP146T,TIP147T--->PNP

MOSPECMospec Semiconductor

統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司

晶體管資料

  • 型號：

    TIP142T

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-N+Darl+Di

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （S）_功率放大 （L

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    100V

  • 最大電流允許值：

    10A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    BDT63B…C,BDW93C,BDX33C…E,

  • 最大耗散功率：

    125W

  • 放大倍數(shù)：

    β>1000

  • 圖片代號：

    B-10

  • vtest：

    100

  • htest：

    999900

  • atest：

    10

  • wtest：

    125

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    TIP142T

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    管件

  • 晶體管類型：

    NPN - 達(dá)林頓

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    3V @ 40mA，10A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    2mA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    1000 @ 5A，4V

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220-3

  • 描述：

    TRANS NPN DARL 100V 10A TO220-3

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
ST(意法半導(dǎo)體)
24+
TO-220
942
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)
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更多TIP142T供應(yīng)商 更新時間2025-5-1 23:00:00

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