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FieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(U??OS?? ■E-Bike/UPS/Inverter ●Lowdrain?sourceONresistance:RDS(ON)=7.5m?(typ.) ●Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=135S(typ.) ●Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=75V) ●Enhancementmode:Vth=2.0~4.0V(VDS=10V,ID=1mA) | TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝 | TOSHIBA | ||
FieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(U??OS?? ■E-Bike/UPS/Inverter ●Lowdrain?sourceONresistance:RDS(ON)=7.5m?(typ.) ●Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=135S(typ.) ●Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=75V) ●Enhancementmode:Vth=2.0~4.0V(VDS=10V,ID=1mA) | TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝 | TOSHIBA |
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