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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2704GRisN-ChannelMOSFieldEffectTransistor designedforDC/DCconvertersandpowermanagement applicationsofnotebookcomputers. FEATURES ?Lowon-stateresistance RDS(on)1=7.2mΩMAX.(VGS=10V,ID=7.0A) RDS(on)2=11.2mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=7.0A) ?L | RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司 | RENESAS |
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
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