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TPC6503(TE85L,F,M)_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個-Toshiba Semiconductor and Storage

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原廠料號：TPC6503(TE85L,F,M)品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

資料說明：TRANS NPN 30V 1.5A VS-6

TPC6503(TE85L,F,M)是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個。制造商Toshiba Semiconductor and Storage生產(chǎn)封裝SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6的TPC6503(TE85L,F,M)晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一，對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言，它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

  • 芯片型號：

    tpc6503(te85l,f,m)

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 資料說明：

    TRANS NPN 30V 1.5A VS-6

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    TPC6503(TE85L,F,M)

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 系列：

    U-MOSVII

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    120mV @ 10mA，500mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    400 @ 150mA，2V

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    VS-6（2.9x2.8）

  • 描述：

    TRANS NPN 30V 1.5A VS-6

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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