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TPCF8201

Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIII)

NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications ?Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=38m?(typ.) ?Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=5.4S(typ.) ?Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=20V) ?Enhancement-mode:Vth=0.5to1.2V(VDS=10V,ID=200μA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

TPCF8201

Bipolar Small-Signal Transistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

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TPCF8201

Power MOSFET (N-ch dual); Drain current (Q1) ID 3 A \nDrain current (Q2) ID 3 A \nPower Dissipation PD 1.35 W \nDrain-Source voltage (Q1) VDSS 20 V \nDrain-Source voltage (Q2) VDSS 20 V \n;

Application Scope：Mobile equipments / Notebook PCs\nPolarity：N-ch×2\nGeneration：U-MOSⅢ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\n

ToshibaToshiba Semiconductor

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TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS III)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

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Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

TPCF8201_07

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS III)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

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技術(shù)參數(shù)

  • Product Category：

    Power MOSFET (N-ch dual)

  • Package name(Toshiba)：

    VS-8

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更多TPCF8201供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 16:42:00

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