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UGB8JT-E3SLASH45中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

UGB8JT-E3SLASH45
廠商型號(hào)

UGB8JT-E3SLASH45

功能描述

High Voltage Ultrafast Rectifier

文件大小

144.25 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡(jiǎn)稱

VISHAY威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-30 11:01:00

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UGB8JT-E3SLASH45規(guī)格書詳情

FEATURES

? Glass passivated chip junction

? Ultrafast recovery time

? Soft recovery characteristics

? Low switching losses, high efficiency

? High forward surge capability

? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package)

? Solder dip 260 °C, 40 s (for TO-220AC and ITO-220AC package)

? Component in accordance to RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC

TYPICAL APPLICATIONS

? For use in high voltage and high frequency power factor correction application.

?

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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