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UPD16804GS中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

UPD16804GS
廠商型號(hào)

UPD16804GS

功能描述

MOS INTEGRATED CIRCUIT

文件大小

233.6 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡(jiǎn)稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-14 22:58:00

人工找貨

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UPD16804GS規(guī)格書詳情

FEATURES

? High drive current

IDR = 3 A MAX. at PW £ 200 ms (single pulse)

IDR = 0.5 A (DC)

? Low-ON resistance (sum of ON resistances of top

and bottom MOS FET)

RON = 0.6 W TYP. at IDR = 0.5 A

? Standby function that turns OFF charge pump circuit

? Compact surface mount package

16-pin plastic SOP (300 mil)

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    UPD16804GS

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全稱:

    NEC

  • 功能描述:

    MONOLITHIC H BRIDGE DRIVER CIRCUIT

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
NEC
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全新原廠原裝產(chǎn)品、公司現(xiàn)貨銷售
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