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UPD448012GY-B55X-MJH-A

MOS INTEGRATED CIRCUIT

Features ?524,288wordsby16bitsorganization ?Fastaccesstime:55,70,85,100,120ns(MAX.) ?Bytedatacontrol:/LB(I/O1-I/O8),/UB(I/O9-I/O16) ?Lowvoltageoperation (Bversion:VCC=2.7to3.6V,Cversion:VCC=2.2to3.6V) ?LowVCCdataretention:1.0V(MIN.) ?Ope

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

UPD448012GY-B55X-MJH

MOSINTEGRATEDCIRCUIT

Features ?524,288wordsby16bitsorganization ?Fastaccesstime:55,70,85,100,120ns(MAX.) ?Bytedatacontrol:/LB(I/O1-I/O8),/UB(I/O9-I/O16) ?Lowvoltageoperation (Bversion:VCC=2.7to3.6V,Cversion:VCC=2.2to3.6V) ?LowVCCdataretention:1.0V(MIN.) ?Ope

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瑞薩瑞薩科技有限公司

UPD448012GY-B55X-MJH

8M-BITCMOSSTATICRAM512K-WORDBY16-BITEXTENDEDTEMPERATUREOPERATION

Description TheμPD448012-Xisahighspeed,lowpower,8,388,608bits(524,288wordsby16bits)CMOSstaticRAM.TheμPD448012-Xhastwochipenablepins(/CE1,CE2)toextendthecapacity. TheμPD448012-Xispackedin48-pinPLASTICTSOP(I)(Normalbent). Features ?524,288words

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

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更多UPD448012GY-B55X-MJH-A供應商 更新時間2025-6-14 14:49:00

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