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VB60170G-E3_V01中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

VB60170G-E3_V01
廠商型號

VB60170G-E3_V01

功能描述

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

文件大小

106.07 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡稱

VISHAY威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-7-22 11:16:00

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VB60170G-E3_V01規(guī)格書詳情

FEATURES

Trench MOS Schottky technology

Low forward voltage drop, low power losses

High efficiency operation

Meets MSL level 1, per J-STD-020,

LF maximum peak of 245 C

? Material categorization: for definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

TYPICAL APPLICATIONS

For use in high frequency DC/DC converters, switching

power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, and

reverse battery protection.

MECHANICAL DATA

Case: D2PAK (TO-263AB)

Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating

Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial grade

Terminals: matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD 22-B102

E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test

Polarity: as marked

Mounting Torque: 10 in-lbs maximum

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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