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VFT2080C-M3-4W中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

VFT2080C-M3-4W
廠商型號(hào)

VFT2080C-M3-4W

功能描述

Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

文件大小

79.21 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

4 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-5 23:00:00

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VFT2080C-M3-4W規(guī)格書詳情

FEATURES

? Trench MOS Schottky technology

? Low forward voltage drop, low power losses

? High efficiency operation

? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package)

? Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB, and TO-262AA package)

? Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC

TYPICAL APPLICATIONS

??? For use in high frequency converters, switching power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, dc-to-dc converters and reverse battery protection.

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    VFT2080C-M3-4W

  • 制造商:

    VISHAY

  • 制造商全稱:

    Vishay Siliconix

  • 功能描述:

    Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
VISHAY(威世)
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7350
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