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VSD007N06MS

N-Channel Mosfet

? N-Channel\n? Enhancement mode\n? Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V \n? Fast Switching\n●100% Avalanche Tested \n? Pb-free lead plating, RoHS compliant\n;

VergigaShenzhen Vergiga Semiconductor Co., LTD.

威兆半導(dǎo)體深圳市威兆半導(dǎo)體股份有限公司

VSD007N06MS-G

MOSFET

N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET采用VitoMOSⅡ技術(shù)制造,具有更低的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗以及優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能。該產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、電池保護(hù)等領(lǐng)域。\n\n; 1.VitoMOSⅡ 技術(shù)\n2.極低的Qg\n3.更低的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗\n4.100%雪崩測(cè)試\n;

VergigaShenzhen Vergiga Semiconductor Co., LTD.

威兆半導(dǎo)體深圳市威兆半導(dǎo)體股份有限公司

007N06N

MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

Infineon

IPT007N06N

MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

Infineon

VS-E5TH3012S2LHM3

VISHAY
TO-263-3

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

上傳:深圳市斌騰達(dá)科技有限公司

Vishay

技術(shù)參數(shù)

  • Type:

    Single-N

  • ESD:

    NO

  • Package:

    TO-252

  • BVDSS[V]:

    60

  • VGS Max[V]:

    20

  • VTH Typ[V]:

    1.6

  • RDS(ON) Max 10V:

    7.0

  • RDS(ON) Max 4.5V:

    9.0

  • ID(A)@25℃:

    85.0

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
Vanguard(威兆)
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更多VSD007N06MS供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-8-1 15:01:00