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VSMY2853G

High Speed Infrared Emitting Diodes, 850 nm, Surface Emitter Technology

DESCRIPTION AspartoftheSurfLightTMportfolio,theVSMY2853series areinfrared,850nmemittingdiodesbasedonGaAlAs surfaceemitterchiptechnologywithextremehighradiant intensities,highopticalpowerandhighspeed,moldedin clear,untintedplasticpackages(withlens)forsurfa

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

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High Speed Infrared Emitting Diodes, 850 nm, Surface Emitter Technology

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High Speed Infrared Emitting Diodes, 850 nm, Surface Emitter Technology

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High Speed Infrared Emitting Diodes, 850 nm, Surface Emitter Technology

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Vishay

VSMY2853G

Package：2-SMD，鷗翼；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT） 類別：光電器件 LED 發(fā)射器 - 紅外，紫外，可見光 描述：EMITTER IR 850NM 100MA SMD

Vishay Semiconductor Opto Division

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VSMY2853G_V02

High Speed Infrared Emitting Diodes, 850 nm, Surface Emitter Technology

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

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VSMY2853GX01

High Speed Infrared Emitting Diodes, 850 nm, Surface Emitter Technology

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VSMY2853GX01

High Speed Infrared Emitting Diodes, 850 nm, Surface Emitter Technology

Package type: surface-mount\nPackage form: GW, RGW\nDimensions (L x W x H in mm): 2.3 x 2.3 x 2.55;

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VSMY2853GX01_V01

High Speed Infrared Emitting Diodes, 850 nm, Surface Emitter Technology

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Vishay

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    VSMY2853G

  • 制造商：

    Vishay Semiconductor Opto Division

  • 類別：

    光電器件 > LED 發(fā)射器 - 紅外，紫外，可見光

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）

  • 類型：

    紅外（IR）

  • 電流 - DC 正向 (If)（最大值）：

    100mA

  • 不同 If 時(shí)最小輻射強(qiáng)度 (Ie)：

    20mW/sr @ 100mA

  • 波長(zhǎng)：

    850nm

  • 電壓 - 正向 (Vf)（典型值）：

    1.65V

  • 視角：

    56°

  • 方向：

    頂視圖

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    2-SMD，鷗翼

  • 描述：

    EMITTER IR 850NM 100MA SMD

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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