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W083Z65C	文件：963.08 Kbytes Page：12 Pages	型號(hào)：TW083Z65C；Package：TO-247-4L；MOSFETs Silicon Carbide N-Channel MOS Applications ?SwitchingVoltageRegulators Features (1)Chipdesignof3rdgeneration(Built-inSiCschottkybarrierdiode) (2)Lowdiodeforwardvoltage:VDSF=-1.35V(typ.) (3)Highvoltage:VDSS=650V (4)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=83mΩ(typ.) (5)Lesssusceptibleto	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝

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型號(hào)：TW083Z65C；Package：TO-247-4L；MOSFETs Silicon Carbide N-Channel MOS

Applications ?SwitchingVoltageRegulators Features (1)Chipdesignof3rdgeneration(Built-inSiCschottkybarrierdiode) (2)Lowdiodeforwardvoltage:VDSF=-1.35V(typ.) (3)Highvoltage:VDSS=650V (4)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=83mΩ(typ.) (5)Lesssusceptibleto

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