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WFF23N50DP

N-Channel MOSFET; ? 500V, 23A\n? RDS(ON) = 0.26Ω (Max.) @ VGS = 10V, ID = 11.5A\n? 100%雪崩測(cè)試\n? dv/dt?能力提升\n? 開關(guān)速度快\n;

WFF23N50DP?是一款N-溝道高壓功率MOSFT，具有開關(guān)速度快，dv/dt?能力提升等優(yōu)點(diǎn)，可應(yīng)用于LED電源，充電器，適配器，開關(guān)電源等應(yīng)用。\n\n

WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd

穩(wěn)先微電子深圳市穩(wěn)先微電子有限公司

23N50

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

23N50E

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

FMH23N50E,Marking:23N50E Features 1.Maintainsbothlowpowerlossandlownoise 2.LowerRDS(on)characteristic 3.Morecontrollableswitchingdv/dtbygateresistance 4.SmallerVGSringingwaveformduringswitching 5.Narrowbandofthegatethresholdvoltage(3.0±0.5V)

FujiFuji Electric

富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社

23N50E

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFETFeatures

Features Maintainsbothlowpowerlossandlownoise LowerRDS(on)characteristic Morecontrollableswitchingdv/dtbygateresistance SmallerVGSringingwaveformduringswitching Narrowbandofthegatethresholdvoltage(4.2±0.5V) Highavalanchedurability Applications

FujiFuji Electric

富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社

23N50E

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

Features Maintainsbothlowpowerlossandlownoise LowerRDS(on)characteristic Morecontrollableswitchingdv/dtbygateresistance SmallerVGSringingwaveformduringswitching Narrowbandofthegatethresholdvoltage(4.2±0.5V) Highavalanchedurability Applications

FujiFuji Electric

富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社

23N50E

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

Features Maintainsbothlowpowerlossandlownoise LowerRDS(on)characteristic Morecontrollableswitchingdv/dtbygateresistance SmallerVGSringingwaveformduringswitching Narrowbandofthegatethresholdvoltage(3.0±0.5V) Highavalanchedurability Applications

FujiFuji Electric

富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社

FMH23N50E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

FMH23N50E

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

FMH23N50E,Marking:23N50E Features 1.Maintainsbothlowpowerlossandlownoise 2.LowerRDS(on)characteristic 3.Morecontrollableswitchingdv/dtbygateresistance 4.SmallerVGSringingwaveformduringswitching 5.Narrowbandofthegatethresholdvoltage(3.0±0.5V)

FujiFuji Electric

富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社

FMH23N50ES

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFETFeatures

Features Maintainsbothlowpowerlossandlownoise LowerRDS(on)characteristic Morecontrollableswitchingdv/dtbygateresistance SmallerVGSringingwaveformduringswitching Narrowbandofthegatethresholdvoltage(4.2±0.5V) Highavalanchedurability Applications

FujiFuji Electric

富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社

FMR23N50E

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

FujiFuji Electric

富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社

技術(shù)參數(shù)

  • Type：

    N

  • VDS (V)：

    500

  • ID(A)：

    23

  • VGS(±V)：

    30

  • Rds(on)@Vg=10V Typ. (Ω)：

    0.22

  • Rds(on)@Vg=10V Max. (Ω)：

    0.26

  • VGS(TH) Min. (V)：

    3

  • VGS(TH) Typ. (V)：

    3.5

  • VGS(TH) Max. (V)：

    4

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存 本公司只做原裝 可
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更多WFF23N50DP供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 16:00:00

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