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WNSC051200

Silicon Carbide Diodes; ? Highly stable switching performance\n? High forward surge capability IFSM\n? Extremely fast reverse recovery time\n? Superior in efficiency to Silicon Diode alternatives\n? Reduced losses in associated MOSFET\n? Reduced EMI\n? Reduced cooling requirements\n? RoHS compliant\n? High junction operating temperature capability (Tj(max) = 175 °C)\n;

Silicon Carbide Schottky diode in a TO220-2L plastic package, designed for high frequency switched-mode power supplies.\n

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瑞能半導(dǎo)體瑞能半導(dǎo)體科技股份有限公司

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絲?。?strong>WNSC051200;Package:TO220-2L;Silicon Carbide Diode

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瑞能半導(dǎo)體瑞能半導(dǎo)體科技股份有限公司

WNSC051200Q

Package:TO-220-2;包裝:管件 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述:SILICON CARBIDE POWER DIODE

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