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ZNK20N65

高壓平面MOSFET;

ZENO之諾微高壓平面MOSFET產(chǎn)品采用業(yè)界最新的平面技術(shù)設(shè)計制造而成。產(chǎn)品具有低導(dǎo)通損耗，高雪崩能量，高可靠性，更好的EMI兼容性等特點。高壓平面MOSFET產(chǎn)品涵蓋500V-700V系列電壓范圍，可滿足各種電源系統(tǒng)的需求。

ETC

ETC

20N65

20A,650VN-CHANNELPOWERMOSFET

DESCRIPTION TheUTC20N65isanN-channelenhancementmodepowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithplanarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyisspecializedinallowingaminimumon-stateresistanceandsuperiorswitchingperformance.Italsocanwithstand

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

20N65

20AN-ChannelPowerMOSFET

Features ●RDS(ON)=0.35Ω ●Ultralowgatecharge(Typical150nC) ●Lowreversetransfercapacitance(CRSS=typical36pF) ●Fastswitchingcapability ●Avalancheenergyspecified ●Improveddv/dtcapability,highruggedness Application ●Powerfactorcorrection（PFC） ●Switchedm

SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd.

順燁電子江蘇順燁電子有限公司

20N65A

20A650VN-channelenhancementmodefieldeffecttransistor

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑風(fēng)微電子廣東佑風(fēng)微電子有限公司

ZPDR-20V-S

JST
N/A

JSTJST Mfg. Co., Ltd.

JST集團(tuán)日本圧著端子製造株式會社

相關(guān)企業(yè)：深圳權(quán)泰科技有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • ?Type?：

    N

  • ?Bvdss (V)?：

    650

  • ID(A)：

    20

  • VGS(V)：

    ±30

  • ?ESD?：

    N

  • RDS(ON)?(Ω) VGS=10VTyp.：

    0.42

  • RDS(ON)?(Ω) VGS=10VMax.：

    0.5

  • VGS(th) (V)Min.：

    2

  • VGS(th) (V)Max.：

    4

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多ZNK20N65供應(yīng)商 更新時間2025-7-30 16:06:00

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