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ZTD09N50DE6QTA

TRANS 2NPN 50V 1A

DiodesDiodes Incorporated

美臺半導體

ZXTD09N50DE6

DUAL50VNPNSILICONLOWSATURATIONSWITCHINGTRANSISTOR

Features ?BVCEO>50V ?IC=1AHighContinuousCurrent ?HighGain ?RSAT=160m?forLowEquivalentOnResistance ?LowSaturationVoltageVCE(sat)

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導體

ZXTD09N50DE6

DUAL50VNPNSILICONLOWSATURATIONSWITCHINGTRANSISTOR

DESCRIPTION AdualNPNlowsaturationtransistorcombinationcontainedinasingle6leadSOT23package.EachtransistoristheequivalenttotheZUMT619device. FEATURES ?LowEquivalentOnResistance ?LowSaturationVoltage ?IC=1AContinuousCollectorCurrent ?SOT23-6package APPLICATI

Zetex

Zetex Semiconductors

ZXTD09N50DE6TA

DUAL50VNPNSILICONLOWSATURATIONSWITCHINGTRANSISTOR

DESCRIPTION AdualNPNlowsaturationtransistorcombinationcontainedinasingle6leadSOT23package.EachtransistoristheequivalenttotheZUMT619device. FEATURES ?LowEquivalentOnResistance ?LowSaturationVoltage ?IC=1AContinuousCollectorCurrent ?SOT23-6package APPLICATI

Zetex

Zetex Semiconductors

ZTL431AQFTA

DIODES
SOT-23

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導體

上傳:深圳市正邁科技有限公司

技術參數(shù)

  • 電流 - 集電極(Ic)(最大值):

    1A

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    50V

  • 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):

    270mV @ 50mA,1A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    10nA

  • 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):

    200 @ 500mA,2V

  • 功率 - 最大值:

    1.1W

  • 頻率 - 躍遷:

    215MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝

  • 封裝/外殼:

    SOT-23-6

  • 供應商器件封裝:

    SOT-26

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多ZTD09N50DE6QTA供應商 更新時間2025-7-31 13:38:00